Arquivamento - Art. 36 §1° da LPI
#11.2
01/12/2020
RPI 2604
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Dado oficial do INPI
SISTEMA, DISPOSITIVO DE TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE ÓXIDO DE METAL (MOSFET) E MÉTODO
ArquivadaPatente de Invenção
Dados do pedido
Número
102013019237Tipo
Patente de Invenção
Depósito
29/07/2013
Publicação
25/08/2015
Andamento no INPI
- Depósito29/07/13
- Publicação25/08/15
- Arquivado
- Deferimento
- Concessão
- Em vigor
Pedido arquivado: a exigência técnica do INPI não foi cumprida no prazo (art. 36 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 01/12/2020. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
GENERAL ELECTRIC COMPANY
US
Inventores
J. M. (pessoa física)
US
S. A. (pessoa física)
US
Dados técnicos
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
13/562,029 · 30/07/2012
Resumo técnico
SISTEMA, DISPOSITIVO DE TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE ÓXIDO DE METAL (MOSFET) E MÉTODO. Trata-se de um sistema que inclui um dispositivo semicondutor de carboneto de silício (SiC) e uma embalagem vedada hermeticamente que engloba o dispositivo semicondutor de SIC. A embalagem vedade hermeticamente é configurada para manter uma atmosfera particular próxima do disposito semicondutor de SIC. Adicionalmente, a atmosfera particular limita um deslocamento em uma tensão limite do dispositivo semicondutor de SIC para menos 1V durante a operação.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Exigência - art. 36 da LPI
#6.1
07/07/2020
RPI 2583
Exigência preliminar
#6.21
14/01/2020
RPI 2558
Notificação de acesso ao patrimônio genético
#6.6.1
04/12/2018
RPI 2500
Publicação do pedido de patente
#3.1
25/08/2015
RPI 2329
Pedido de patente depositado
#2.1
11/11/2014
RPI 2288
Exigência - art. 21 da LPI
#2.5
22/07/2014
RPI 2272
Requerimento de pedido de patente
#2.10
Número de Protocolo 18130025701 em 29/07/2013 04:20(SP).
29/04/2014
RPI 2260
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