Arquivamento - Art. 36 §1° da LPI
#11.2
15/09/2020
RPI 2593
Dados do pedido
Número
102014016375Tipo
Depósito
Publicação
Pedido arquivado: a exigência técnica do INPI não foi cumprida no prazo (art. 36 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 15/09/2020. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
GENERAL ELECTRIC COMPANY
US
Inventores
A. B. (pessoa física)
US
P. L. (pessoa física)
US
S. K. (pessoa física)
US
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
13/933,366 · 02/07/2013
Resumo técnico
MÉTODO PARA FABRICAR UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR E DISPOSITIVO SEMICONDUTOR. [001] Trata-se de um método para fabricar um dispositivo semicondutor. O método inclui fornecer uma camada semicondutora que compreende carboneto de silício, em que a camada semicondutora compreende uma primeira região dopada com um primeiro tipo de dopante. O método inclui adicionalmente implantar a camada semicondutora com um segundo tipo de dopante com o uso de uma única máscara de implantação e uma dose de implantação substancialmente similar para formar uma segunda região e uma extensão de terminação de junção (JTE) na camada semicondutora, em que a dose de implantação esta em uma faixa de cerca de 2 x 1013 cm'2 a cerca de 12 x 1013 cm'2. Dispositivos semicondutores são também apresentados.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#11.2
15/09/2020
RPI 2593
#6.21
14/04/2020
RPI 2571
#6.6.1
06/11/2018
RPI 2496
#3.1
31/05/2016
RPI 2369
#2.1
29/10/2014
RPI 2286
#2.10
Número de Protocolo 18140012673 em 01/07/2014 03:21(SP).
19/08/2014
RPI 2276
Do mesmo titular
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