Arquivamento definitivo por descumprimento
#8.11
referente ao despacho publicado na RPI 1937 de 19/02/2008
08/12/2008
RPI 1962
Application data
Number
PI9916497Type
Filing
Publication
PCT
EP1999009694 The application was abandoned for failure to pay the annuities (art. 86 of the Brazilian IP Act). The technology is in the public domain in Brazil.
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Applicants
GE Bayer Silicones GMBH & CO. KG
DE
Inventors
B. L. (pessoa física)
DE
H. B. (pessoa física)
DE
H. L. (pessoa física)
DE
J. A. (pessoa física)
DE
N. Z. (pessoa física)
DE
R. W. (pessoa física)
DE
R. A. (pessoa física)
DE
IPC Classification
Priority claims
DE
198 59 288.4 · 12/22/1998
Abstract
Patente de Invenção: "AGLOMERAÇÃO DE PÓS DE SILÍCIO" . De acordo com um método para aglomeração de pós de silício, o pó de silício é aquecido a uma temperatura de pelo menos 250°C, de preferência 1200 a 1500°C usando o efeito de radiação de microondas na faixa de comprimento de onda de 0,5 kHz a 300 GHZ. Pó de silício fino com um tamanho de partícula de menos que 100µm é preferivelmente usado como o material de partida. Agentes de dopagem contendo metal e/ou boro, fósforo, arsênio ou antimônio podem ser adicionados ao pó de silício antes ou depois do tratamento de microondas. O granulado resultante é opcionalmente quebrado, moído e peneirado. A invenção também refere-se a um granulado de silício, que pode ser produzido por este método. Esse granulado, de preferência tem uma porosidade de 0 a 80% e fases estranhas ou precipitados na adjacência do grão dos monocristais. O granulado de silício da invenção pode ser usado na produção de monocristais de silício ou blocos de silício multicristalinos, ou para reação com cloreto de hidrogênio ou hidrocarbonetos halogenados em leitos fluidificados ou fornalhas de eixo mecânico.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#8.11
referente ao despacho publicado na RPI 1937 de 19/02/2008
08/12/2008
RPI 1962
#8.6
Referente a 4ª,5ª,6ª,7ª e 8ª anuidades.
02/19/2008
RPI 1937
#1.3
10/09/2001
RPI 1605
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