FABRICAÇÃO DE IC DE ISOLAMENTO DIELÉTRICO DE MEMBRANA

IPC Classification

Priority claims

Abstract

Patente de Invenção: "FABRICAÇÃO DE IC DE ISOLAMENTO DIELÉTRICO DE MEMBRANA". Método para fins gerais para a fabricação de circuito integrados (24, 26, 28, ..., 30) de membranas flexíveis (20, 36), formadas de materais dielétricos de baixa resistência muito finos, tais como dióxido de silício lou nitreto de silício, e camadas semicondutoras. Os dispositivos semicondutores (24, 26, 28, ..., 30) são formados em uma camada semicondutora de membrana (36). A camada semicondutora de membrana (36) é inicialmente formada de um substrato (18) de espessura padrão, e tudo exceto uma fina camada superficial do substrato é então atacado quimicamente ou polido. Em uma outra versão, a membrana flexível é usada como suporte e interconexão elétrica para a pastilha de cricuito integrado convencional unida a ela, com a interconexão formada em múltiplas camadas na membrana. As pastilhas múltiplas podem ser conectadas a uma membrana com essa, a qual é então empacotada como um múdlo de multi-chip. Outras aplicações são baseadas no processamento de membrana (circuito) para a fabricação de transistores bipolares e MOSFET, fabricação de condutores de interconexão de baixa impedância, plays de painel plano, litografia sem máscaras (escrita direta), e fabricação dse CIs, 3D.