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Official data from INPI

APARELHO DO TIPO A SEMICONDUTOR PARA MEDIDA DA PRESSÃO DIFERENCIAL, E PROCESSO PARA SUA FABRICAÇÃO

Arquivada/ExtintaInvention Patent

Application data

Number

PI9303705

Type

Invention Patent

Filing

09/03/1993

Publication

04/25/1995

Progress at the INPI

  1. Filing09/03/93
  2. Publication04/25/95
  3. Examination01/09/96
  4. Allowance05/04/99
  5. Grant11/30/99
  6. Expired09/23/14

The letters patent expired on 09/23/2014: the term of protection has ended. The technology is in the public domain and may be freely used in Brazil.

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Latest action published by the INPI: 09/23/2014. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

Y. C. (pessoa física)

JP

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Inventors

H. T. (pessoa física)

JP

K. N. (pessoa física)

JP

K. I. (pessoa física)

JP

S. F. (pessoa física)

JP

T. K. (pessoa física)

JP

T. W. (pessoa física)

JP

Technical data

IPC Classification

Abstract

Patente de Invenção de "APARELHO DO TIPO SEMICONDUTOR PARA MEDIDA DA PRESSÃO DIFERENCIAL, E PROCESSO PARA SUA FABRICAÇÃO". Um aparelho de medida de pressão diferencial do tipo a semicondutor que inclui um diafragma de medição cuja periferia é fixa e duas câmaras de medição cada uma tendo um espaçamento predeterminado ao longo de ambas as superfícies do diafragma de medição. O aparelho detecta a pressão diferencial dentro do limite de medição permissível, mas quando for aplicada uma pressão excessiva (superpressão), o diafragma de medição é diretamente apoiado pela parede da câmara de medição para evitar que o diafragma seja danificado pela superpressão. Consequentemente, o aparelho não requer nenhum mecanismo adicional de proteção contra a superpressão. O aparelho inclui uma câmara adicional acompanhada de um ressalto ou saliência provido de tal maneira que sua área efetiva possa ser maior do que a da abertura da câmara. Por conseguinte, a força que é exercida na porção da junta entre o substrato de silício e o substrato de suporte pela aplicação de uma superpressão pode ser grandemente reduzida. Duas câmaras de medição tendo cada uma um espaçamento predeterminado são fornecidas ao longo de ambos os lados do diafragma de medição. Por conseguinte, o exterior do aparelho de medida da pressão diferencial do tipo a semicondutor de acordo com a presente invenção pode ser exposto ao ar livre, e desse modo não é necessário nenhum invólucro particular resistente à pressão. Mas detalhadamente, a porção do sensor não necessita estar coberta por um recipiente resistente à pressão como no aparelho do tipo convencional em que a pressão de medida é aplicada externamente ao sensor. O aparelho de medida de pressão diferencial do tipo a semicondutor de acordo com a presente invenção engloba uma conexão de condutor formada pela introdução de impurezas na superfície da junta entre o substrato de silício e o substrato de suporte, e uma extremidade dele é ainda conectada a um elemento detector de esforços. Consequentemente, não é necessária nenhuma vedação hermética resistente à pressão ao extrair um sinal elétrico.

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Carta-patente expirada

#21.1

Patente extinta em 03/09/2013

09/23/2014

RPI 2281

Concessão da patente

#16.1

11/30/1999

RPI 1508

Deferimento

#9.1

05/04/1999

RPI 1478

Solicitação de exame técnico

#4.1

01/09/1996

RPI 1310

Publicação do pedido de patente

#3.1

04/25/1995

RPI 1273

Pedido de patente depositado

#2.1

10/26/1993

RPI 1195

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