JUNÇÃO DE TÚNEL MAGNÉTICA E MÉTODOS, E MEMÓRIA DE ACESSO ALEATÓRIO MAGNÉTICA EMPREGANDO OS MESMOS.

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Abstract

JUNÃÃO DE TÃNEL MAGNÃTICA E MÃTODOS, E MEMÃRIA DE ACESSO ALEATÃRIO MAGNÃTICA EMPREGANDO OS MESMOSAs junções de túnel magnéticas (MTJs) e métodos para formar as mesmas são descritos. Uma camada de fixação é disposta na MTJ, tal que uma camada livre da MTJ pode ser acoplada a um dreno de um transistor de acesso quando provida em uma célula de bits de memória de acesso aleatório (MRAM). Esta estrutura altera a direção do fluxo de corrente de gravação para alinhar as características da corrente de gravação da MTJ com a capacidade de suprimento de corrente de gravação de uma célula de bits da MRAM empregando a MTJ. Consequentemente, mais corrente de gravação pode ser provida para comutar a MTJ de um estado paralelo (P) para um estado antiparalelo (AP) Uma camada de material antiferromagnético (AFM) é provida na camada de fixação para fixar a magnetização da camada de fixação. A fim de prover área suficiente para depositar a camada de AFM para obter a magnetização da camada de fixação, uma camada de fixação tendo uma área de superfície de camada de fixação maior que uma área de superfície de camada livre da camada livre é provida.