Application data
Number
PI1009229Type
Filing
Publication
PCT
US2010025834 The application was abandoned for failure to pay the annuities (art. 86 of the Brazilian IP Act). The technology is in the public domain in Brazil.
Talk to a specialistLatest action published by the INPI: 09/27/2016. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants
Q. I. (pessoa física)
US
Inventors
K. L. (pessoa física)
US
S. K. (pessoa física)
US
X. Z. (pessoa física)
US
IPC Classification
Priority claims
US
12/396,295 · 03/02/2009
Abstract
REDUÃÃO DE EFEITO DE CARGA DE FONTE EM MEMÃRIA DE ACESSO ALEATÃRIO MAGNETO-RESISTIVA DE TRANSFERÃNCIA DE TORQUE DE ROTAÃÃO (STT-MRAM)São descritos sistemas e métodos para reduzir os efeitos de carga de fonte em STT-MRAM. Em uma modalidade especÃfica, um método inclui a determinação de uma relação de corrente de comutação de uma estrutura de junção de túnel magnético (MTJ) que permite a operação estável de uma célula de memória. A célula de memória inclui a estrutura MTJ acoplada em série com um transistor de acesso. O método compreende também a modificação de um campo magnético de deslocamento que incide sobre uma camada livre da estrutura MTJ. O campo magnético de deslocamento modificado leva a estrutura MTJ a apresentar a relação de corrente de comutação.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#8.11
Em virtude do arquivamento publicado na RPI 2369 de 31-05-2016 e considerando ausência de manifestação dentro dos prazos legais, informo que cabe ser mantido o arquivamento do pedido de patente, conforme o disposto no artigo 12, da resolução 113/2013.
09/27/2016
RPI 2386
#8.6
referente a 5ª e 6ª anuidades
05/31/2016
RPI 2369
#1.3
03/15/2016
RPI 2358
#1.1
11/27/2012
RPI 2186
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