Concessão da patente
#16.1
10 (dez) anos contados a partir de 10/11/2020, observadas as condições legais
11/10/2020
RPI 2601
Application data
Number
PI0917905Type
Filing
Publication
PCT
US2009048656 The patent was granted on 11/10/2020 and is in force until 06/25/2029. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.
Protection valid until:06/25/2029
Latest action published by the INPI: 11/10/2020. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants
FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC
US
NXP USA, INC.
US
Inventors
L. C. (pessoa física)
US
S. R. (pessoa física)
US
IPC Classification
Priority claims
US
12/199,093 · 08/27/2008
Abstract
DISPOSITIVO DE MEMÃRIA E MÃTODO DO MESMOO presente pedido revela uma matriz de memória onde cada célula de bit de memória (MC) da matriz inclui um nivelador (112). Adicionalmente, cada célula de bit de memória inclui uma porta de gravação (120) que inclui portas de passagem que podem incluir um transistor de efeito de campo tipo-p (125, 126) e um transistor de efeito de campo tipo-n (121, 123). Os eletrodos de controle do transistor de efeito de campo tipo-p e do transistor de efeito de campo tipo-n são conectados juntos como parte de um nó comum (WLB). Adicionalmente, um eletrodo de corrente do transistor de efeito de campo tipo-p e um eletrodo de corrente do transistor de efeito de campo tipo-n são conectados juntos para formar um nó comum (135, 136).
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#16.1
10 (dez) anos contados a partir de 10/11/2020, observadas as condições legais
11/10/2020
RPI 2601
#9.1
08/04/2020
RPI 2587
#6.1
02/04/2020
RPI 2561
#6.1
10/08/2019
RPI 2544
#15.11
As Classificações Anteriores eram: G11C 7/10 , G11C 5/14
06/25/2019
RPI 2529
06/25/2019
RPI 2529
#6.6.1
01/22/2019
RPI 2507
#25.1
10/10/2017
RPI 2440
#1.3
11/10/2015
RPI 2340
#1.1
11/16/2011
RPI 2132
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