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APERFEIÇOAMENTO EM ESTRUTURA DE TRANSISTOR DO GÊNERO MOSFET

ConcedidaInvention PatentOfficial document available

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Application data

Number

PI0905289

Type

Invention Patent

Filing

12/02/2009

Publication

07/19/2011

Patent grant document available

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Progress at the INPI

Filing12/02/09
Publication07/19/11
Examination
Allowance04/02/19
Grant04/30/19
In force12/02/29

The patent was granted on 04/30/2019 and is in force until 12/02/2029. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.

Protection valid until:12/02/2029

Latest action published by the INPI: 04/30/2019. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

FUNDAÇÃO EDUCACIONAL INACIANA "PE. SABÓIA DE MEDEIROS"

SP, BR

Inventors

S. G. (pessoa física)

Technical data

IPC Classification

H01L 23/13 H01L 29/06

Abstract

APERFEIÇOAMENTO EM ESTRUTURA DE TRANSISTOR DO GÉNERO MOSFET, que usa uma geometria com formato circular para definir as interfaces entre Dreno/Canal e Canal/Fonte para enriquecer o campo elétrico paralelo ou longitudinal decorrente da polarização entre Dreno e Fonte; sendo dita estrutura de transistor aplicada a quaisquer tecnologias planares, tais como "Bipolar", "JFET", "MOSFET", "SOl MOSFET", e não planares tais como "FinFET", Multi-Gates, Cynthia e Pilar Surrounding Gate entre outras.

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Concessão da patente

#16.1

20 (vinte) anos contados a partir de 02/12/2009, observadas as condições legais

04/30/2019

RPI 2521

Deferimento

#9.1

04/02/2019

RPI 2517

Conhecimento de parecer técnico

#7.1

12/18/2018

RPI 2502

Publicação do pedido de patente

#3.1

07/19/2011

RPI 2115

Pedido de patente depositado

#2.1

07/27/2010

RPI 2064

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