Concessão da patente
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 28/08/2009, observadas as condições legais
05/21/2019
RPI 2524
Application data
Number
PI0903005Type
Filing
Publication
Patent grant document available
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Access the documentThe patent was granted on 05/21/2019 and is in force until 08/28/2029. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.
Protection valid until:08/28/2029
Latest action published by the INPI: 05/21/2019. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants
FUNDAÇÃO EDUCACIONAL INACIANA "PE. SABÓIA DE MEDEIROS"
SP, BR
Inventors
S. G. (pessoa física)
BR
IPC Classification
Abstract
ESTRUTURA DE TRANSISTOR DO GÊNERO MOSFET. Do tipo que usa o efeito de canto para enriquecer o campo elétrico paralelo ou longitudinal decorrente da polarização entre Dreno e Fonte, sendo portanto aplicável a quaisquer tecnologias planares, tais como "Bipolar", "JFET", "MOSFET", "SOl MOSFEI", "FinFET", "Vertical/Cynthia Surroung-Gate MOSFET". Essa estrutura compreende a sobreposição de, pelo menos, três componentes de campo elétrico horizontal (longitudinal), gerados em cada interface das regiões entre Dreno/Canal e Canal/Fonte para gerar uma maior corrente de Dreno.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 28/08/2009, observadas as condições legais
05/21/2019
RPI 2524
#9.1
04/24/2019
RPI 2520
#7.1
12/18/2018
RPI 2502
#3.1
05/10/2011
RPI 2105
#2.1
12/15/2009
RPI 2032
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