CÉLULA SOLAR TENDO HOMOJUNÇÃO P-N DE SILÍCIO CRISTALINO E HETEROJUNÇÕES DE SILÍCIO AMORFO PARA APASSIVAÇÃO DE SUPERFÍCIE

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Abstract

CÉLULA SOLAR TENDO HOMOJUNÇÃO P-N DE SILÍCIO CRISTALINO E HETEROJUNÇÕES DE SILÍCIO AMORFO PARA APASSIVAÇÃO DE SUPERFÍCIE. A presente invenção refere-se a uma célula solar de silício fina, que é descrita. Especificamente, a célula solar pode ser fabricada de um wafer de silício cristalino tendo uma espessura de aproximadamente 50 micrometros a 500 micrometros. A célula solar compreende uma primeira região tendo uma homojunção p-n, uma segunda região que cria apassivação de superfície de heterojunção, e uma terceira região que cria apassivação de superfície de heterojunção. Camadas de silício amorfo são depositadas sobre ambos os lados do wafer de silício em temperaturas abaixo de aproximadamente 400 graus Celsius para reduzir a perda de propriedades de apassivação do silício amorfo. Uma camada final de óxido condutor transparente é formada sobre ambos os lados em aproximadamente 165 graus Celsius. Contatos de metal são aplicados ao óxido condutor transparente. As baixas temperaturas e camadas de materiais muito finas usadas para fabricação de camadas externas da células solar protegem o wafer fino de excessiva tensão que pode conduzir a deformação do wafer.