PROCESSOS PARA FABRICAR UM CONTATO.

IPC Classification

Priority claims

Abstract

"PROCESSOS PARA FABRICAR UMA CÉLULA SOLAR E UM CONTATO, E, CÉLULA SOLAR". Um eletrodo auto-dopante para o silício é formado primariamente a partir de um metal (componente principal ) o qual forma um eutético com o silício. Um dopante tipo-p (para um eletrodo positivo) ou um dopante tipo-n (para um eletrodo negativo) é ligado com o componente principal. A liga do componnete principal e o dopante é aplicada a um substrato de silício. Uma vez aplicada, a liga e o substrato são aquecidos a uma temperatura acima da temperatura eutética do componente principal-silício tal que o componente principal liqüefaz mais do que uma proporção eutética do substrato de silício. A temperatura é então diminuída no sentido da temperatura eutética o que permite ao silício fundido se reconstruir através de epitaxia em fase líquida e ao mesmo tempo em que faz isto incorpora átomos dopantes dentro da treliça recrescida. Uma vez que a temperatura caia abaixo da temperatura eutética do componente principal-silício o silício, que não havia já recrescido em treliça, forma uma liga de fase sólida com o componente principal e retém o dopante não consumido. Essa deixada do componente principal, silício e dopante não consumido é o material final de contato. Alternativamente, um eletrodo auto-dopante pode ser formado a partir de um metal não ligado aplicado a um substrato de silício. O metal e o substrato são aquecidos a uma temperatura acima da temperatura eutética metal-silício em um ambiente gasoso para dentro do qual uma fonte de átomos de dopante vaporizado foi introduzida. Os átomos do dopante no ambiente gasoso são absorvidos pela mistura de metal-silício fundida a um nível muito maior do que eles seriam absorvidos pelas superfícies sólidas do substrato de silício. A temperatura é então diminuída para abaixo da temperatura eutética do metal-silício. Durante essa diminuição da temperatura, a camada recrescida de silício dopada e a liga metal-silício do material final de contato são criados no mesmo processo como descrito acima.