SOLUÇÃO DE PLANARIZAÇÃO DE POLISSILÍCIO PARA A PLANARIZAÇÃO DE PAINÉIS DE PELÍCULA FINA DE POLISSILÍCIO DE BAIXA TEMPERATURA

IPC Classification

Priority claims

Abstract

SOLUÃÃO DE PLANARIZAÃÃO DE POLISSILÃCIO PARA A PLANARIZAÃÃO DE PAINÃIS DE PELÃCULA FINA DE POLISSILÃCIO DE BAIXA TEMPERATURA . à presente invenção refere-se a uma solução de planarização altamente aquosa fortemente básica e um processo para o seu uso para reduzir ou essencialmente eliminar as protrusões ou projeções que se estendem de uma forma geral de modo ascendente de uma superfície geralmente planar de película de polissilício produzida pelo recozimento de Poli Si de Baixa Temperatura (LTPS) de uma película de silício amorfo depositada em um substrato, o processo incluindo o contanto da superfície da película de polissilício geralmente planar com a solução altamente aquosa fortemente básica durante um tempo suficiente para seletivamente gravar as protrusões ou projeções da superfície da película de polissilício geralmente planar sem qualquer gravação significativa da película de polissilício geralmente planar, dita solução altamente aquosa fortemente básica sendo uma solução tendo um pH de 12 ou mais elevado e compreendendo água, pelo menos uma base forte, e pelo menos um agente de controle da taxa de gravação.