DISPOSITIVOS DE CONTATO EMBUTIDOS PARA FILMES BASEADOS EM NITRETO E PRODUÇÃO DOS MESMOS

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Abstract

DISPOSITIVOS DE CONTATO EMBUTIDOS PARA FILMES BASEADOS EM NITRETO E PRODUÇÃO DOS MESMOS. A presente invenção refere-se a dispositivo semicondutor, que compreende: um substrato; um primeiro contato; uma primeira camada de material semicondutor dopado, depositada sobre o substrato; uma região de junção semicondutora, depositada sobre a primeira camada; uma segunda camada de material semicondutor dopado, depositada sobre a região de junção, sendo que a segunda camada tem uma polaridade de dopagem semicondutora oposta à da primeira camada; e um segundo contato; sendo que o segundo contato está em comunicação elétrica com a segunda camada e o primeiro contato está embutido dentro do dispositivo semicondutor entre o substrato e a região de junção e está em comunicação elétrica com a primeira camada; e processos para produção de um dispositivo semicondutor de contato embutido.