Concessão da patente
#16.1
09/11/2018
RPI 2488
Application data
Number
PI0802745Type
Filing
Publication
Patent grant document available
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Access the documentThe patent was granted on 09/11/2018 and is in force until 08/07/2028. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.
Protection valid until:08/07/2028
Latest action published by the INPI: 09/11/2018. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants
FUNDAÇÃO EDUCACIONAL INACIANA "PE SABÓIA DE MADEIROS"
SP, BR
Inventors
M. B. (pessoa física)
BR
S. G. (pessoa física)
BR
IPC Classification
Abstract
APERFEIÇOAMENTO EM TRANSISTOR. Onde as interfaces de fonte/dreno e o filme de silício serem compostas de duas partes planares que formam um ângulo entre si na faixa de O e 180 graus, configurando meios para aumentar o campo lateral decorrente da polarização entre dreno e fonte e, conseqúentemente, meios para aumentar a corrente de dreno, quando comparado às estruturas convencionais atualmente utilizadas, considerando uma mesma razão de aspecto (W/L), sob as mesmas condições de polarização e utilizando uma mesma tecnologia.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#16.1
09/11/2018
RPI 2488
#9.1
07/17/2018
RPI 2480
#6.1
03/13/2018
RPI 2462
#3.1
03/23/2010
RPI 2046
#2.1
12/16/2008
RPI 1980
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