DISPOSITIVO SEMICONDUTOR, MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE UMA ESTRUTURA SEMICONDUTORA, MÉTODO DE CONTROLE DO PERFIL DE DOPAGEM DE UMA JUNÇÃO P-N FORMADA EM UM SUBSTRATO E MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE UMA ESTRUTURA SEMICONSUTORA

IPC Classification

Priority claims

Abstract

DISPOSITIVO SEMICONDUTOR, MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE UMA ESTRUTURA SEMICONDUTORA EM UMA CAMADA DO GRUPO DE IV DO TIPO P, MÉTODO PARA CONTROLAR O PERFIL DE DOPAGEM DE UMA JUNÇÃO P-N FORMADA EM UM SUBSTRATO, E, MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE UMA ESTRUTURA SEMICONDUTORA. Trata-se de dispositivos eletrônicos e opto-eletrônicos que têm compostos de III/V epitaxialmete depositados em substratos do grupo IV vicinal e do método para a produção dos mesmos. Os dispositivos incluem uma camada de nucleação de AlAs sobre um substrato de Ge. O substrato do grupo IV contém uma junção p-n cuja mudança das características durante o crescimento epitaxial de camadas contendo As é minimizada pela camada de nucleação de AlAs. A camada de nucleação AlAs provê uma morfologia incrementada dos dispositivos e ummmeio para controlar a posição de uma junção p-n perto da superfície do substrato do grupo IV através da difusão de A e/ou P e perto da base da estrutura de III/V através da difusão minimizada do elemento do grupo IV.