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Official data from INPI

CÉLULA SOLAR COM MATERIAL DE PONTO QUÂNTICO EPITAXIALMENTE CRESCIDO

Arquivada/ExtintaInvention PatentPCT · CA2005000064

Application data

Number

PI0506541

Type

Invention Patent

Filing

01/20/2005

Publication

02/27/2007

PCT

CA2005000064

Progress at the INPI

  1. Filing01/20/05
  2. Publication02/27/07
  3. Abandoned
  4. Allowance
  5. Grant
  6. In force

The application was abandoned for failure to pay the annuities (art. 86 of the Brazilian IP Act). The technology is in the public domain in Brazil.

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Latest action published by the INPI: 08/26/2014. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

C. I. (pessoa física)

CA

Inventors

S. F. (pessoa física)

CA

Technical data

IPC Classification

Priority claims

US

60/537,259 · 01/20/2004

Abstract

"CÉLULA SOLAR COM MATERIAL DE PONTO QUÂNTICO EPITAXIALMENTE CRESCIDO". Onde em um primeiro aspecto, a presente invenção fornece uma célula solar monolítica semicondutora multijunção compreendendo diversas subcélulas dispostas em série, as diversas subcélulas tendo pelo menos uma subcélula incluindo um material de ponto quântico autoformado com crescimento epitaxial. Numa incorporação adicional, é fornecida uma célula solar fotovoltaica monolítica semicondutora compreendendo: um substrato de Si; uma camada de transição metamorficamente crescida no substrato de Si, a camada de transição incluindo diversas camadas de GaAs e AlGaAs; e uma primeira subcélula epitaxialmente crescida na camada de transição, a primeira subcélula incluindo um material de ponto quântico autoformado. Em um aspecto adicional, a presente invenção fornece uma célula solar fotovoltaica monolítica semicondutora compreendendo: um substrato de InP; uma primeira subcélula epitaxialmente crescida no substrato, a primeira subcélula incluindo diversas camadas de pontos quânticos de InAs intercaladas com camadas de InGaAs. Em um outro aspecto adicional, a presente invenção fornece o método de fabricação de uma célula solar fotovoltaica monolítica multijunção em um substrato, o método compreendendo a etapa de: formação de subcélula de ponto quântico pelo crescimento epitaxial de um material de ponto quântico autoformado com diversas camadas de ponto quântico intercaladas com barreiras.

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Arquivamento definitivo por descumprimento

#8.11

Referente ao despacho 8.6 publicado na RPI 2260 de 29/04/2014.

08/26/2014

RPI 2277

Arquivamento por falta de pagamento

#8.6

Referente à 9ª anuidade.

04/29/2014

RPI 2260

8.7

03/19/2013

RPI 2202

8.5

complementar a retribuição das 3ª,4ª,5ª,6ª e 7ª anuidades de acordo com a tabela vigente, referente as guia de recolhimento 220704886550,920804732487,920905154888,921004125282 e 921109120817.

10/09/2012

RPI 2179

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

02/27/2007

RPI 1886

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