Circuito conversor para comutar um grande número de níveis de tensão de comutação

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Priority claims

Abstract

"CIRCUITO CONVERSOR PARA COMUTAR UM GRANDE NÚMERO DE NÍVEIS DE TENSÃO DE COMUTAÇÃO". Um circuito conversor é especificado para comutar um grande número de níveis de tensão de comutação, que apresenta n primeiros grupos de comutação (1.1, .... 1.n) para cada fase (R, Y, B), com o n^ ésimo^ primeiro grupo de comutação (1.n) sendo formado por um primeiro comutador semicondutor de força (2) e um segundo comutador semicondutor de força (3), e com o primeiro primeiro grupo de comutação (1.1) até o (n-1)^ ésimo^ grupo de comutação (1.(n-1)) sendo formados, cada qual, por um primeiro comutador semicondutor de força (2) e um segundo comutador semicondutor de força (3) e por um capacitor (4) que é conectado aos primeiro e segundo comutadores semicondutores de força (2, 3), com cada dos n primeiros grupos de comutação (1.1, .... 1.n) sendo conectado em série ao primeiro grupo de comutação respectivamente adjacente (1.1, .... 1.n), e com os primeiro e segundo comutadores semicondutores de força (2, 3) no primeiro primeiro grupo de comutação (1.1) sendo conectados entre si. A fim de reduzir a quantidade de energia elétrica armazenada no circuito conversor, n 1 e p segundos grupo de comutação (5.1, .., 5.p) e p terceiros grupos de comutação (6.1, ... 6.p) são providos, os quais são formados, cada qual, por um primeiro comutador semicondutor de força (2) e um segundo comutador semicondutor de força (3) e por um capacitor (4) que é conectado aos primeiro e segundo comutadores semicondutores de força (2, 3), onde p 1 e cada dos p segundos grupos de comutação (5.1, .... 5.p) é conectado em série com o segundo grupo de comutação respectivamente adjacente (5.1, .... 5.p), e cada dos p terceiros grupos de comutação (6.1, .... 6.p) é conectado em série com o terceiro grupo de comutação respectivamente adjacente (6.1, .... 6.p), e o primeiro segundo grupo de comutação (5.1) é conectado ao primeiro comutador semicondutor de força (2) no n^ ésimo^ primeiro grupo de comutação (1.n), e o primeiro terceiro grupo de comutação (6.1) é conectado ao segundo comutador semicondutor de força (3) no n^ ésimo^ primeiro grupo de comutação (1.n). Além disso, o capacitor (4) no p^ ésimo^ segundo grupo de comutação (5.p) é conectado em série com o capacitor (4) no p^ ésimo^ terceiro grupo de comutação (6.p).