Método para formação de um filme semi-condutor incluindo gálio, arsênio e nitrogênio, método para a introdução de nitrogênio em um substrato que inclui GaAs em um processo de deposição de vapor químico organometálico e estrutura para formar uma liga incluindo gálio.

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Abstract

"PROCESSO E APARELHO PARA O CRESCIMENTO MOCVD DE COMPOSTOS INCLUINDO LIGAS DE GaAsN, USANDO UM PRECURSOR DE AMÔNIA COM UM CATALISADOR". A presente invenção refere-se a um processo do uso da amônia para formar uma liga de GaAs com átomos de nitrogênio, conforme descrito. O processo inclui a operação da introdução de amônia com um agente, para auxiliar na decomposição da amônia, em uma câmara reacional com o filme de GaAs. Os agentes que são descritos incluem radiação, bem como compostos que incluem alumínio.