Application data
Number
PI0207606Type
Filing
Publication
The patent was granted on 07/09/2013 and later terminated. Protection ended before the full term and the technology is in the public domain in Brazil.
Talk to a specialistLatest action published by the INPI: 05/04/2021. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants
X. C. (pessoa física)
US
Inventors
C. W. (pessoa física)
US
M. K. (pessoa física)
US
P. K. (pessoa física)
DE
IPC Classification
Priority claims
US
10/024,417 · 12/21/2001
Abstract
"DIODO LASER À BASE DE NITRETO DE EMISSÃO PELOS BORDOS COM INJEÇÃO DE CORRENTE EM JUNÇÃO DE TÚNEL P-N". Uma junção de túnel p-n entre uma camada semicondutora do tipo p e uma camada semicondutora do tipo n proporciona injeção de corrente para uma estrutura de laser semicondutor à base de nitreto de emissão pelos bordos. A proporção de material do tipo p na estrutura de laser semi-condutor à base de nitreto pode ser minimizada, com vantagens conseqüentes em desempenhos elétrico, térmico e óptico e na fabricação.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#24.10
Em virtude da extinção publicada na RPI 2610 de 12-01-2021 e considerando ausência de manifestação dentro dos prazos legais, informo que cabe ser mantida a extinção da patente e seus certificados, conforme o disposto no artigo 12, da resolução 113/2013.
05/04/2021
RPI 2626
#21.6
Referente à 18ª anuidade.
01/12/2021
RPI 2610
#16.1
07/09/2013
RPI 2218
#9.1
04/30/2013
RPI 2208
#7.1
10/25/2011
RPI 2129
#3.1
12/02/2003
RPI 1717
#2.1
09/30/2003
RPI 1708
From the same holder
Patent monitoring
Receive alerts on INPI events, decisions, and expiry dates for your portfolio.