Concessão da patente
#16.1
10 (dez) anos contados a partir de 09/07/2019, observadas as condições legais
07/09/2019
RPI 2531
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Official data from INPI
MÉTODO PARA PRODUZIR UMA ESTRUTURA SEMICONDUTORA DE CAVIDADE RESSONANTE À BASE DE NITRETO
ConcedidaInvention Patent
Application data
Number
PI0205196Type
Invention Patent
Filing
12/19/2002
Publication
06/29/2004
Progress at the INPI
- Filing12/19/02
- Publication06/29/04
- Examination
- Allowance04/30/19
- Grant07/09/19
- In force12/19/22
The patent was granted on 07/09/2019 and is in force until 12/19/2022. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.
Protection valid until:12/19/2022
Latest action published by the INPI: 07/09/2019. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants and inventors
Applicants
X. C. (pessoa física)
US
Inventors
C. C. (pessoa física)
US
D. B. (pessoa física)
US
M. K. (pessoa física)
US
Technical data
IPC Classification
Priority claims
US
10/024,236 · 12/21/2001
Abstract
"PROCESSO DE FABRICAÇÃO DE ESTRUTURAS SEMICONDUTORAS DE GaN USANDO DESALOJAMENTO EPITAXIAL ASSISTIDO POR LASER". Um processo é proporcionado para fabricar uma estrutura semi-condutora de cavidade ressonante à base de nitreto, com um primeiro refletor Bragg distribuído sobre um substrato de safira, um segundo substrato ligado ao primeiro refletor Bragg distribuído, o substrato de safira removido por desalojamento epitaxial assistido por laser, e fabricação de um segundo refletor Bragg sobre a estrutura semicondutora oposta ao primeiro refletor Bragg distribuído. A estrutura semicondutora de cavidade ressonante à base de nitreto pode ser um VCSEL, LED ou fotodetector, ou uma combinação dos ditos dispositivos.
Prosecution history
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
100
Recorrente: O depositante. @ Despacho: Recurso conhecido e provido. Reformada a decisão recorrida e deferido o pedido. Desta data corre o prazo de 60 (sessenta) dias para o pagamento da retribuição para expedição da Carta-Patente. [100]
04/30/2019
RPI 2521
121
Recorrente: O depositante.@Despacho: Cumpra as exigências do parecer técnico no prazo de 60(sessenta) dias desta publicação. [121]
12/04/2018
RPI 2500
Petição de recurso
#12.2
02/02/2016
RPI 2352
Indeferimento
#9.2
Indefiro o pedido de acordo com o Art .8º combinado com Art. 13 da LPI
09/08/2015
RPI 2331
Conhecimento de parecer técnico
#7.1
04/14/2015
RPI 2310
Retificação de publicação
#3.8
Referente à RPI Nº 1747 de 29/06/2004 quanto ao ítem (72).
11/23/2004
RPI 1768
Publicação do pedido de patente
#3.1
06/29/2004
RPI 1747
Pedido de patente depositado
#2.1
02/04/2003
RPI 1674
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