Método de formar um arranjo emissor de campo

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Abstract

"MÉTODO PARA FABRICAR ARRANJOS EMISSORES DE CAMPO DE GaN". São descritos uma estrutura de nanoponta aperfeiçoada e um método para formar a estrutura de nanoponta e um sistema mostrador que utiliza a estrutura de nanoponta aperfeiçoada. A nanoponta descrita é formada de um semicondutor que possui uma estrutura cristalina, tal como nitreto de gálio. A estrutura cristalina, de preferência, forma deslocamentos orientados na direção das nanopontas. Um método de formar a estrutura de nanoponta utiliza as taxas de gravação relativamente lentas que ocorrem em torno dos deslocamentos em comparação com as taxas de gravação mais rápidas que ocorrem em outras partes da estrutura semicondutora. A gravação mais lenta em torno dos deslocamentos possibilita a formação de nanopontas de relação de aspecto relativamente maior na área de deslocamento.