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Official data from INPI

MÉTODO PARA REDUZIR O CARREGAMENTO CAPACITIVO NA MEMÓRIA FLASH DO DECODIFICADOR X PARA O CONTROLE DE VOLTAGEM PRECISO EM LINHAS DE PALAVRAS E LINHAS SELECIONADAS

Arquivada/ExtintaInvention PatentPCT · US2001018081

Application data

Number

PI0111684

Type

Invention Patent

Filing

06/04/2001

Publication

07/01/2003

PCT

US2001018081

Progress at the INPI

  1. Filing06/04/01
  2. Publication07/01/03
  3. Abandoned
  4. Allowance
  5. Grant
  6. In force

The application was abandoned for failure to pay the annuities (art. 86 of the Brazilian IP Act). The technology is in the public domain in Brazil.

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Latest action published by the INPI: 10/19/2010. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

Advanced Micro Devices, INC.

US

AMD Investments, Inc.

US

AMD (U.S.) Holdings, Inc.

US

Fasl LLC

US

Fujitsu Limited

JP

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Inventors

B. L. (pessoa física)

US

K. K. (pessoa física)

US

P. C. (pessoa física)

US

Technical data

IPC Classification

Priority claims

US

09/593.303 · 06/13/2000

Abstract

"MÉTODO PARA REDUZIR O CARREGAMENTO CAPACITIVO NA MEMÓRIA FLASH DO DECODIFICADOR X PARA O CONTROLE DE VOLTAGEM PRECISO EM LINHAS DE PALAVRAS E LINHAS SELECIONADAS". É fornecido um aparelho e um método para reduzir o carregamento capacitivo de um decodificador X de memória flash de modo a controlar com precisão as voltagens em linhas de palavras selecionadas e blocos de linhas selecionadas. Uma estrutura de decodificação (18) aplica separadamente uma primeira voltagem aumentada à região de poço N da linha de palavra e uma segunda voltagem aumentada para a linha de palavra selecionada de modo a reduzir o carregamento capacitivo na linha de palavra selecionada devido ao carregamento capacitivo pesado associado à região do poço N da linha de palavra. A estrutura de decodificação ainda aplica uma terceira voltagem aumentada à região do poço N da porta selecionado e uma quarta voltagem aumentada à linha selecionada de bloco de modo a reduzir o carregamento capacitivo na linha selecionada de bloco devido ao carregamento capacitivo pesado associado à região do poço N de porta selecionado. Como conseqüência, uma voltagem precisa pode ser criada com rapidez na linha de palavra selecionada pois sua via de carregamento capacitivo é muito pequena.

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Arquivamento definitivo por descumprimento

#8.11

Referente ao despacho 8.6 da RPI 2016 de 25/08/2009.

10/19/2010

RPI 2076

Arquivamento por falta de pagamento

#8.6

Referente a 7ª e 8ª anuidades.

08/25/2009

RPI 2016

Transferência deferida

#25.1

Transferido por fusão de: AMD Investments, Inc / Fujitsu Limited

07/19/2005

RPI 1802

Transferência deferida

#25.1

Trasferido de: AMD (U.S.) Holdinga, Inc.

06/28/2005

RPI 1799

Transferência deferida

#25.1

Transferido de: Advanced Micro Devices, Inc.

06/14/2005

RPI 1797

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

07/01/2003

RPI 1695

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