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Official data from INPI

CIRCUITO INTEGRADO, MÉTODO PARA FORMAR UM CIRCUITO INTEGRADO E SISTEMA DE COMPUTAÇÃO

Em AnáliseInvention PatentPCT · US2022076215

Application data

Invention Patent CIRCUITO INTEGRADO, MÉTODO PARA FORMAR UM CIRCUITO INTEGRADO E SISTEMA DE COMPUTAÇÃO de ADVANCED MICRO DEVICES, INC. — IPC H01L 21/822
Invention Patent CIRCUITO INTEGRADO, MÉTODO PARA FORMAR UM CIRCUITO INTEGRADO E SISTEMA DE COMPUTAÇÃO de ADVANCED MICRO DEVICES, INC. — IPC H01L 21/822. Drawing published by the INPI in the Industrial Property Gazette.

Number

112024006251

Type

Invention Patent

Filing

09/09/2022

Publication

07/09/2024

PCT

US2022076215

Progress at the INPI

  1. Filing09/09/22
  2. Publication
  3. Examination
  4. Allowance
  5. Grant
  6. In force

The application was filed at the INPI on 09/09/2022. It awaits formal examination and publication in the RPI gazette.

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Latest action published by the INPI: 07/09/2024. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

ADVANCED MICRO DEVICES, INC.

US

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Inventors

R. S. (pessoa física)

US

Technical data

Priority claims

US

17/489,316 · 09/29/2021

Abstract

CIRCUITO INTEGRADO, MÉTODO PARA FORMAR UM CIRCUITO INTEGRADO E SISTEMA DE COMPUTAÇÃO.A presente invenção refere-se a um circuito integrado com uma primeira célula compreendendo:um primeiro par de transístores com canais (104, 108) de diferentes polaridades de dopagem configuradas para receber um primeiro sinal de entrada por cada transístor do primeiro par de transístores; eum segundo par de transístores com canais (104, 108) de diferentes polaridades de dopagem configuradas para receber dois sinais de entrada diferentes, sendo que um transístor de uma primeira polaridade de dopagem do segundo par de transístores tem um comprimento maior de uma região de porta do que um transístor da segunda polaridade de dopagem do primeiro par de transístores.sendo que em resposta a um potencial que é aplicado a um nó de entrada do circuito integrado, uma corrente é transportada do nó de entrada para um nó de saída do circuito integrado através da primeira célula.

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

07/09/2024

RPI 2792

Alteração de dados cadastrais

#1.1

04/09/2024

RPI 2779

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