Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI
#11.1.1
04/18/2006
RPI 1841
Application data
Number
PI0109351Type
Filing
Publication
PCT
US2001008824 The application was abandoned: examination was not requested within the 36 months following the 03/20/2001 filing, the deadline set by art. 33 of the Brazilian IP Act. The technology is in the public domain in Brazil.
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Applicants
Advanced Micro Devices, INC.
US
Fujitsu Limited
JP
Inventors
A. H. (pessoa física)
US
J. O. (pessoa física)
US
IPC Classification
Priority claims
US
09/532.347 · 03/21/2000
Abstract
"PROCESSO PARA A FABRICAÇÃO DE UMA ESTRUTURA SEMICONDUTORA SOBRE UM SUBSTRATO". Um processo para a formação de óxido de alto grau de qualidade com múltiplas camadas de espessura que têm diferentes espessuras, por eliminação de defeitos induzidos por remoção de escória. O processo inclui a formação de uma camada de óxido (2), o mascaramento da camada de óxido com uma camada de fotorresistor (8) e a revelação da camada de fotorresistor para expor pelo menos uma região (10) da camada de óxido. O substrato é então aquecido e tem a escória removida para remover qualquer resíduo que resulta da revelação do fotorresistor. Alternativamente, a camada de fotorresistor (8) pode ser submetida a cura antes do aquecimento e da remoção de escória do substrato. A camada de óxido (2) é então quimicamente atacada; e o fotorresistor (8) resistente é retirado antes de outra camada de óxido (14) ser aplicada sobre o substrato.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#11.1.1
04/18/2006
RPI 1841
#11.1
09/27/2005
RPI 1812
#1.3
12/03/2002
RPI 1665
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