Arquivamento - Art. 38 §2° da LPI
#11.4
03/15/2016
RPI 2358
Application data
Number
PI0109001Type
Filing
Publication
PCT
US2001007046 The application was allowed on 03/10/2015 but abandoned for failure to pay the grant fee (art. 38 of the Brazilian IP Act). The letters patent were never issued.
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Applicants
Eneco, INC.
US
MicroPower Global Limited
VG
Inventors
P. H. (pessoa física)
US
Y. K. (pessoa física)
US
IPC Classification
Priority claims
US
09/519.640 · 03/06/2000
US
09/721.051 · 11/22/2000
US
60/213.564 · 06/22/2000
Abstract
"DIODO TÉRMICO PARA CONVERSÃO DE ENERGIA". Implementação de diodo semicondutor de conversor de energia termiônica de estado sólido e método para a conversão de energia térmica para energia elétrica, e energia elétrica para refrigeração. Em versões desta invenção, uma região n* altamente dopada 14 pode servir como região emissora, da qual portadoras podem ser injetadas dentro da região de hiato. A região de hiato 16 pode ser do tipo p, intrínseca ou moderadamente dopada do tipo n 14. Um contato ôhmico quente 12 é conectado à região do tipo n*. Um contato ôhmico frio 20 serve como coletor e está coletado ao outro lado da região de hiato. O contato ôhmico frio tem uma região de recombinação formada entre o contato ôhmico frio e a região de hiato e uma camada de compensação de bloqueio que reduz o componente de fluxo de retorno termoelétrico. O emissor aquecido relativo ao coletor gera um EMF que aciona corrente através de uma carga em série. O princípio inventivo funciona para condutividade de furo, bem como para elétrons.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#11.4
03/15/2016
RPI 2358
#9.1
03/10/2015
RPI 2305
#6.1
10/21/2014
RPI 2285
#25.1
Transferido de: Eneco, Inc.
09/08/2009
RPI 2018
#1.3
04/29/2003
RPI 1686
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