PRODUÇÃO DE WAFERS EPITAXIAIS DE CARBONETO DE SILÍCIO

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Abstract

PRODUÇÃO DE WAFERS EPITAXIAIS DE CARBONETO DE SILÍCIO. A presente invenção se refere a um método para produzir wafers epitaxiais de carboneto de silício, SiC, em um sistema de crescimento de wafers (1) compreendendo um recipiente externo, um recipiente isolante disposto dentro do recipiente externo, um recipiente de crescimento (2) disposto dentro do recipiente isolante e um arranjo de aquecimento disposto fora do recipiente externo para aquecer o interior do recipiente de crescimento (2). O método compreende fornecer um material de origem (3) de SiC policristalino no recipiente de crescimento (2), fornecer um substrato (4) de SiC monocristalino no recipiente de crescimento (2) substancialmente paralelo ao material de origem (3), o substrato (4) tendo uma concentração de dopagem de = 5·1016 cm-3, aumentar a temperatura no recipiente de crescimento (2) para uma temperatura de sublimação do material de origem (3), manter a temperatura no recipiente de crescimento (2) até que uma camada condutora (6) de SiC monocristalino tendo uma espessura de = 10 µm e tendo uma concentração de dopagem de = 1·1018 cm-3 tenha crescido no substrato (4). O substrato (4) e a camada condutora crescida (6) juntos definem uma bola epitaxial. O método compreende ainda resfriar a bola epitaxial até a temperatura ambiente e fatiar a bola epitaxial, através do substrato (4) em um plano substancialmente paralelo à camada condutora desenvolvida (6), em um substrato excedente (8) e um wafer epitaxial compreendendo uma camada de substrato (7) tendo a camada condutora desenvolvida (6) sobre o mesmo.