MÉTODO PARA CRESCIMENTO DE MONOCRISTAIS DE CARBETO DE SILÍCIO DE ALTA QUALIDADE

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Abstract

MÉTODO PARA CRESCIMENTO DE MONOCRISTAIS DE CARBETO DE SILÍCIO DE ALTA QUALIDADE. A presente invenção refere-se a um método para crescimento de uma camada epitaxial em um substrato (20) de carbeto de silício monocristalino, SiC. O método compreende fornecer (S100) uma matéria-prima (10) de SiC policristalino monolítico com uma estrutura colunar de microgrãos e o substrato (20) de SiC monocristalino, em uma câmara (5) de um cadinho com uma distância entre eles; dispor (S102) um captador de carbono (1) na dita câmara (5) do cadinho próximo à matéria-prima (10) e ao substrato (20), o dito captador de carbono (1) tendo um ponto de fusão superior a 2200° C e uma capacidade de formar uma camada de carbeto com espécies de carbono evaporadas a partir do SiC; reduzir (S106) a pressão na câmara (5); inserir (S108) um gás inerte na câmara (5); elevar (S110) a temperatura na câmara (5) para uma temperatura de crescimento, de modo que seja alcançada uma taxa de crescimento entre 1 µm/h e 1 mm/h; e manter (S112) a temperatura de crescimento até que um crescimento de pelo menos 5 µm tenha sido alcançado no substrato (20).