Notificação de entrada na fase nacional - PCT
#1.3
12/24/2024
RPI 2816
Application data
Number
112024018878Type
Filing
Publication
PCT
CN2023082250 The application was filed at the INPI on 03/17/2023. It awaits formal examination and publication in the RPI gazette.
Latest action published by the INPI: 12/24/2024. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants
YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
CN
Inventors
D. W. (pessoa física)
CN
K. Z. (pessoa física)
CN
W. Z. (pessoa física)
CN
Z. X. (pessoa física)
CN
Z. Z. (pessoa física)
CN
Z. H. (pessoa física)
CN
IPC Classification
Priority claims
CN
202210273515.3 · 03/18/2022
CN
202210273522.3 · 03/18/2022
Abstract
MEMÓRIA TRIDIMENSIONAL E MÉTODO DE FABRICAÇÃO DA MESMA, SISTEMA DE MEMÓRIA E APARELHO ELETRÔNICO. A presente invenção refere-se a uma memória tridimensional (3D). A memória 3D pode incluir uma estrutura de pilha que inclui camadas de porta lógica e camadas dielétricas posicionadas alternadamente. A estrutura de pilha pode incluir uma estrutura de ressaltos que inclui uma pluralidade de estruturas de ressaltos localizadas em uma primeira direção e tendo alturas diferentes em uma segunda direção. A memória 3D pode incluir uma pluralidade de primeiros batentes posicionados na primeira direção e localizados na pluralidade de ressaltos de pelo menos uma das estruturas de ressaltos, com cada um dentre a pluralidade de primeiros batentes localizados no ressalto correspondente da pluralidade de ressaltos. A memória 3D pode incluir uma camada de proteção que cobre a estrutura de ressaltos e os primeiros batentes. A memória 3D pode incluir uma pluralidade de pinos de contato, cada um se estendendo através da camada de proteção e do primeiro batente e estando conectado com a camada de porta lógica no ressalto que corresponde ao primeiro batente.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#1.3
12/24/2024
RPI 2816
#1.1
09/24/2024
RPI 2803
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