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MEMÓRIA TRIDIMENSIONAL E MÉTODO DE FABRICAÇÃO DA MESMA, SISTEMA DE MEMÓRIA E APARELHO ELETRÔNICO

Em AnáliseInvention PatentPCT · CN2023082250

Application data

Invention Patent MEMÓRIA TRIDIMENSIONAL E MÉTODO DE FABRICAÇÃO DA MESMA, SISTEMA DE MEMÓRIA E APARELHO ELETRÔNICO de YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. — IPC H10B 51/50
Invention Patent MEMÓRIA TRIDIMENSIONAL E MÉTODO DE FABRICAÇÃO DA MESMA, SISTEMA DE MEMÓRIA E APARELHO ELETRÔNICO de YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. — IPC H10B 51/50. Drawing published by the INPI in the Industrial Property Gazette.

Number

112024018878

Type

Invention Patent

Filing

03/17/2023

Publication

12/24/2024

PCT

CN2023082250

Progress at the INPI

  1. Filing03/17/23
  2. Publication
  3. Examination
  4. Allowance
  5. Grant
  6. In force

The application was filed at the INPI on 03/17/2023. It awaits formal examination and publication in the RPI gazette.

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Latest action published by the INPI: 12/24/2024. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.

CN

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Inventors

D. W. (pessoa física)

CN

K. Z. (pessoa física)

CN

W. Z. (pessoa física)

CN

Z. X. (pessoa física)

CN

Z. Z. (pessoa física)

CN

Z. H. (pessoa física)

CN

Technical data

IPC Classification

Priority claims

CN

202210273515.3 · 03/18/2022

CN

202210273522.3 · 03/18/2022

Abstract

MEMÓRIA TRIDIMENSIONAL E MÉTODO DE FABRICAÇÃO DA MESMA, SISTEMA DE MEMÓRIA E APARELHO ELETRÔNICO. A presente invenção refere-se a uma memória tridimensional (3D). A memória 3D pode incluir uma estrutura de pilha que inclui camadas de porta lógica e camadas dielétricas posicionadas alternadamente. A estrutura de pilha pode incluir uma estrutura de ressaltos que inclui uma pluralidade de estruturas de ressaltos localizadas em uma primeira direção e tendo alturas diferentes em uma segunda direção. A memória 3D pode incluir uma pluralidade de primeiros batentes posicionados na primeira direção e localizados na pluralidade de ressaltos de pelo menos uma das estruturas de ressaltos, com cada um dentre a pluralidade de primeiros batentes localizados no ressalto correspondente da pluralidade de ressaltos. A memória 3D pode incluir uma camada de proteção que cobre a estrutura de ressaltos e os primeiros batentes. A memória 3D pode incluir uma pluralidade de pinos de contato, cada um se estendendo através da camada de proteção e do primeiro batente e estando conectado com a camada de porta lógica no ressalto que corresponde ao primeiro batente.

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

12/24/2024

RPI 2816

Alteração de dados cadastrais

#1.1

09/24/2024

RPI 2803

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