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Official data from INPI

GERENCIAMENTO DE CONEXÕES CONDUTORAS PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES

Em AnáliseInvention PatentPCT · CN2023109046

Application data

Invention Patent GERENCIAMENTO DE CONEXÕES CONDUTORAS PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES de YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. — IPC H10B 43/50
Invention Patent GERENCIAMENTO DE CONEXÕES CONDUTORAS PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES de YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. — IPC H10B 43/50. Drawing published by the INPI in the Industrial Property Gazette.

Number

112025015887

Type

Invention Patent

Filing

07/25/2023

Publication

05/12/2026

PCT

CN2023109046

Progress at the INPI

  1. Filing07/25/23
  2. Publication
  3. Examination
  4. Allowance
  5. Grant
  6. In force

The application was filed at the INPI on 07/25/2023. It awaits formal examination and publication in the RPI gazette.

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Latest action published by the INPI: 05/12/2026. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.

CN

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Inventors

L. X. (pessoa física)

CN

L. M. (pessoa física)

CN

S. W. (pessoa física)

CN

Y. Z. (pessoa física)

CN

Technical data

IPC Classification

Abstract

MÉTODO, DISPOSITIVO SEMICONDUTOR, E SISTEMA PARA GERENCIAMENTO DE CONEXÕES CONDUTORAS PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES. A presente invenção refere-se a sistemas, dispositivos e métodos para gerenciar conexões condutoras para dispositivos semicondutores. Em um aspecto, um método inclui: a provisão de uma estrutura integrada que inclui uma estrutura de arranjo (130) em uma primeira região (101) e uma estrutura de conexão condutora (150) em uma segunda região (103) adjacente à primeira região, pelo menos uma porção de pelo menos uma camada de polisilício que fica em cima da estrutura de conexão condutora; a causticação de pelo menos uma porção de pelo menos uma camada de polisilício para expor uma ou mais conexões condutoras (152a, 152b) na estrutura de conexão condutora; a deposição de um material isolante (170) sobre a estrutura de arranjo e a estrutura de conexão condutora; e formação de acesso de interconexão verticais condutoras (VIAs, 154a, 154b, 154c) através do material isolante para ficar em contato com uma ou mais conexões condutoras e uma camada condutora na estrutura de arranjo.

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

05/12/2026

RPI 2888

Alteração de dados cadastrais

#1.1

08/12/2025

RPI 2849

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