Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 30/06/2021, observadas as condições legais
06/02/2026
RPI 2891
Application data
Number
112023012725Type
Filing
Publication
PCT
CN2021103677 The patent was granted on 06/02/2026 and is in force until 06/30/2041. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.
Protection valid until:06/30/2041
Latest action published by the INPI: 06/02/2026. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants
YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
CN
Inventors
C. S. (pessoa física)
CN
L. X. (pessoa física)
CN
L. C. (pessoa física)
CN
N. J. (pessoa física)
CN
W. L. (pessoa física)
CN
W. X. (pessoa física)
CN
W. T. (pessoa física)
CN
IPC Classification
Priority claims
CN
PCT/CN2021/093323 · 05/12/2021
Abstract
DISPOSITIVO DE MEMÓRIA TRIDIMENSIONAL, SISTEMA E MÉTODO PARA FORMAR UM DISPOSITIVO DE MEMÓRIA TRIDIMENSIONAL. A presente invenção refere-se a dispositivos de memória tridimensionais (3D) que inclui uma primeira estrutura semicondutora que inclui uma matriz de células de memória, uma segunda estrutura semicondutora que inclui um circuito de periférico, e uma interface de ligação entre a primeira estrutura semicondutora e a segunda estrutura semicondutora. O circuito de periférico inclui um transistor 3D. A matriz de células de memória é acoplada ao circuito de periférico através da interface de ligação.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 30/06/2021, observadas as condições legais
06/02/2026
RPI 2891
#9.1
05/05/2026
RPI 2887
#6.23
10/07/2025
RPI 2857
#1.3
12/05/2023
RPI 2761
#1.1
07/04/2023
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