Deferimento
#9.1
08/18/2026
RPI 2902
Application data
Number
112023012572Type
Filing
Publication
PCT
CN2021103420 The application was allowed by the INPI on 08/18/2026. The grant fee must be paid by 10/17/2026 for the letters patent to be issued.
Deadline to pay the grant fee:10/17/2026(53 days left)
Latest action published by the INPI: 08/18/2026. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants
YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
CN
Inventors
K. Z. (pessoa física)
CN
L. C. (pessoa física)
CN
W. L. (pessoa física)
CN
W. Z. (pessoa física)
CN
Y. W. (pessoa física)
CN
Y. Y. (pessoa física)
CN
Z. X. (pessoa física)
CN
IPC Classification
Abstract
DISPOSITIVO DE MEMÓRIA TRIDIMENSIONAL E SISTEMA.A presente invenção refere-se, em determinados aspectos, a dispositivo de memória tridimensional (3D) que inclui uma primeira estrutura semicondutora, uma segunda estrutura semicondutora, e uma interface de ligação entre a primeira estrutura semicondutora e a segunda estrutura semicondutora. A primeira estrutura semicondutora inclui um array de células da memória, um primeiro circuito de periférico do array de células da memória, e uma camada de polissilício entre o array de células da memória e o primeiro circuito de periférico. O primeiro circuito de periférico inclui um primeiro transistor. A segunda estrutura semicondutora inclui um segundo circuito de periférico do array de células da memória. O segundo circuito de periférico inclui um segundo transistor.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#9.1
08/18/2026
RPI 2902
#7.1
04/28/2026
RPI 2886
#6.23
10/14/2025
RPI 2858
#1.3
01/16/2024
RPI 2767
#1.1
07/04/2023
RPI 2739
From the same holder
Same category
Patent monitoring
Receive alerts on INPI events, decisions, and expiry dates for your portfolio.