DISPOSITIVO DE MEMÓRIA TRIDIMENSIONAL, MÉTODO DE FABRICAÇÃO DO MESMO E MEMÓRIA TRIDIMENSIONAL

IPC Classification

Priority claims

Abstract

DISPOSITIVO DE MEMÓRIA TRIDIMENSIONAL E SEU MÉTODO DE FABRICAÇÃO E MEMÓRIA TRIDIMENSIONAL.A presente invenção refere-se a um dispositivo de memória tridimensional e a seu método de fabricação, e a uma memória tridimensional. O dispositivo de memória tridimensional compreende uma primeira célula de memória e pelo menos uma segunda célula de memória sequencialmente empilhada na primeira célula de memória. Cada célula de memória compreende um primeiro conjunto de contatos, e um dispositivo de matriz de memória e um dispositivo CMOS que são empilhados e conectados eletricamente entre si, o primeiro conjunto de contatos sendo disposto em um lado do dispositivo de matriz de memória voltado para longe do CMOS dispositivo e eletricamente conectado com o dispositivo CMOS. A segunda célula de memória compreende ainda um segundo conjunto de contatos que é disposto em um lado do dispositivo CMOS voltado para longe do dispositivo de matriz de memória e eletricamente conectado com o dispositivo CMOS. O dispositivo de matriz de memória da primeira célula de memória é ligado com o dispositivo CMOS da segunda célula de memória adjacente, e o primeiro conjunto de contatos da primeira célula de memória é correspondentemente conectado eletricamente com o segundo conjunto de contatos da segunda célula de memória adjacente.