(11) 98705-3426
TrademarkIQ iconTrademarkIQ
Back to search
Official data from INPI

DISPOSITIVO SEMICONDUTOR E MÉTODO PARA FABRICAR UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR

ConcedidaInvention PatentPCT · CN2019102332

Application data

Number

112021022417

Type

Invention Patent

Filing

08/23/2019

Publication

03/08/2022

PCT

CN2019102332

Progress at the INPI

  1. Filing08/23/19
  2. Publication03/08/22
  3. Examination
  4. Allowance12/10/24
  5. Grant02/25/25
  6. In force08/23/39

The patent was granted on 02/25/2025 and is in force until 08/23/2039. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.

Protection valid until:08/23/2039

Leave your contact and we will alert you

We track INPI publications and let you know as soon as this case moves.

We use your details only for this alert.

Latest action published by the INPI: 02/25/2025. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.

CN

See this company's full portfolio

Inventors

W. Z. (pessoa física)

CN

Z. X. (pessoa física)

CN

Z. Z. (pessoa física)

CN

Technical data

Abstract

DISPOSITIVOS DE MEMÓRIA VERTICAIS.A presente invenção refere-se a um dispositivo semicondutor. O dispositivo semicondutor inclui camadas de porta e camadas de isolamento que são empilhadas de maneira alternada ao longo de uma direção perpendicular a um substrato do dispositivo semicondutor e formam uma pilha sobre o substrato. O dispositivo semicondutor inclui um arranjo de estruturas de canal que são formadas em uma região de arranjo da pilha. Além disso, o dispositivo semicondutor inclui uma primeira escadaria formada por uma primeira seção da pilha em uma região de conexão sobre o substrato, e uma segunda escadaria formada por uma segunda seção da pilha na região de conexão sobre o substrato. Em adição, o dispositivo semicondutor inclui uma escadaria fictícia formada pela primeira seção da pilha e disposta entre a primeira escadaria e a segunda escadaria na região de conexão.

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Concessão da patente

#16.1

Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 23/08/2019, observadas as condições legais

02/25/2025

RPI 2825

Deferimento

#9.1

12/10/2024

RPI 2814

Parecer de pré-exame

#6.23

05/21/2024

RPI 2785

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

03/08/2022

RPI 2670

Alteração de dados cadastrais

#1.1

11/23/2021

RPI 2655

Patent monitoring

Track this patent in real time.

Receive alerts on INPI events, decisions, and expiry dates for your portfolio.