Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 23/08/2019, observadas as condições legais
02/25/2025
RPI 2825
Application data
Number
112021022417Type
Filing
Publication
PCT
CN2019102332 The patent was granted on 02/25/2025 and is in force until 08/23/2039. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.
Protection valid until:08/23/2039
Latest action published by the INPI: 02/25/2025. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants
YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
CN
Inventors
W. Z. (pessoa física)
CN
Z. X. (pessoa física)
CN
Z. Z. (pessoa física)
CN
IPC Classification
Abstract
DISPOSITIVOS DE MEMÓRIA VERTICAIS.A presente invenção refere-se a um dispositivo semicondutor. O dispositivo semicondutor inclui camadas de porta e camadas de isolamento que são empilhadas de maneira alternada ao longo de uma direção perpendicular a um substrato do dispositivo semicondutor e formam uma pilha sobre o substrato. O dispositivo semicondutor inclui um arranjo de estruturas de canal que são formadas em uma região de arranjo da pilha. Além disso, o dispositivo semicondutor inclui uma primeira escadaria formada por uma primeira seção da pilha em uma região de conexão sobre o substrato, e uma segunda escadaria formada por uma segunda seção da pilha na região de conexão sobre o substrato. Em adição, o dispositivo semicondutor inclui uma escadaria fictícia formada pela primeira seção da pilha e disposta entre a primeira escadaria e a segunda escadaria na região de conexão.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 23/08/2019, observadas as condições legais
02/25/2025
RPI 2825
#9.1
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