Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 07/12/2018, observadas as condições legais
01/30/2024
RPI 2769
Application data
Number
112021007364Type
Filing
Publication
PCT
CN2018119908 The patent was granted on 01/30/2024 and is in force until 12/07/2038. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.
Protection valid until:12/07/2038
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Applicants
YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
CN
Inventors
L. X. (pessoa física)
CN
M. W. (pessoa física)
CN
Y. S. (pessoa física)
CN
IPC Classification
Abstract
DISPOSITIVO DE MEMÓRIA 3D-NAND E MÉTODO PARA FORMAR O MESMO. A presente invenção refere-se a um dispositivo de memória 3D-NAND. O dispositivo de memória inclui um substrato, uma porta de seleção inferior (BSG) disposta sobre o substrato, uma pluralidade de linhas de palavras posicionada sobre a BSG com uma configuração de escadaria e a pluralidade de camadas isolantes disposta entre o substrato, a BSG, e a pluralidade de linhas de palavras. No dispositivo de memória descrito, uma ou mais primeiras fendas dielétricas estão formadas na BSG e estendem em uma direção de comprimento do substrato para separar a BSG em uma pluralidade de sub-BSGs. Além disso, uma ou mais regiões de fonte comuns estão formadas sobre o substrato e estendem na direção de comprimento do substrato. As uma ou mais regiões de fonte comuns ainda estendem através da BSG, da pluralidade de linhas de palavras e da pluralidade de camadas isolantes.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 07/12/2018, observadas as condições legais
01/30/2024
RPI 2769
#9.1
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