Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 27/09/2018, observadas as condições legais
05/07/2024
RPI 2783
Application data
Number
112020025889Type
Filing
Publication
PCT
CN2018107790 The patent was granted on 05/07/2024 and is in force until 09/27/2038. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.
Protection valid until:09/27/2038
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Applicants
YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
CN
Inventors
E. W. (pessoa física)
CN
F. Z. (pessoa física)
CN
H. Y. (pessoa física)
CN
Q. X. (pessoa física)
CN
R. Z. (pessoa física)
CN
Y. Z. (pessoa física)
CN
IPC Classification
Abstract
DISPOSITIVO DE MEMÓRIA TRIDIMENSIONAL E MÉTODO PARA FORMAR UM DISPOSITIVO DE MEMÓRIA TRIDIMENSIONAL.As concretizações de dispositivos de memória 3D com um plugue semicondutor protegido por uma camada dielétrica e métodos para formar a mesma são descritos. Em um exemplo, um dispositivo de memória 3D inclui um substrato, uma pilha de memória incluindo uma pluralidade de camadas condutoras intercaladas e camadas dielétricas no substrato e uma cadeia de memória se estendendo verticalmente através da pilha de memória. A cadeia de memória inclui um plugue semicondutor em uma porção inferior da cadeia de memória, uma camada dielétrica protetora no plugue semicondutor e um filme de memória acima da camada dielétrica protetora e ao longo de uma parede lateral da cadeia de memória.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 27/09/2018, observadas as condições legais
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