DISPOSITIVO DE MEMÓRIA TRIDIMENSIONAL DE MÚLTIPLAS CAMADAS E MÉTODO DE FABRICAÇÃO RESPECTIVO

IPC Classification

Abstract

DISPOSITIVO DE MEMÓRIA TRIDIMENSIONAL DE MÚLTIPLAS CAMADAS E MÉTODO DE FABRICAÇÃO RESPECTIVO.A presente invenção refere-se a métodos e estruturas de um dispositivo de memória tridimensional. Em um exemplo, o dispositivo de memória inclui um substrato e uma estrutura em escada de múltiplas camadas. A estrutura em escada de múltiplas camadas pode incluir uma pluralidade de estruturas de escada empilhada sobre o substrato. Cada uma da pluralidade de estruturas de escada pode incluir uma pluralidade de camadas condutoras entre cada uma das camadas isolantes. O dispositivo de memória pode ainda incluir uma estrutura de enchimento sobre a estrutura em escada de múltiplas camadas, um canal semicondutor se estendendo através da estrutura em escada de múltiplas camadas, e um pilar de suporte se estendendo através a estrutura em escada de múltiplas camadas e a estrutura de enchimento. O canal semicondutor pode incluir superfícies de parede lateral não alinhadas, e o pilar de suporte pode incluir superfícies de parede lateral alinhadas.