APARELHO DE EMISSÃO DE LUZ SEMICONDUTOR DO GRUPO NITRETO

IPC Classification

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Abstract

APARELHO DE EMISSÃO DE LUZ SEMICONDUTOR DO GRUPO NITRETOA invenção se refere a um eletrodo apresentado e que tem refletividade melhorada destinada à melhoria da eficácia na emissão de luz. O apareho de emissão de luz semicondutor do grupo nitreto inclui uma camada semicondutora do grupo nitreto e uma estrutura de eletrodo. A estrutura de eletrodo é disposta sobre ou acima da camada semicondutora e inclui uma pluralidade de camadas de metal depositadas. A pluralidade das camadas de metal depositadas da estrutura do eletrodo inclui a primeira e segunda camada de metal. A primeira camada de metal é disposta no lado da camada semicondutora. A segunda camada de metal é disposta sobre ou acima da primeira camada de metal. A primeira camada de metalcontém Cr e o primeiro material de metal. O primeiro material de metal tem refletividade superior a do Cr no pico d comprimento de onda que emite luz do aparelho de emissão de luz. De acordo com esta construção, a primeira camada de metal pode ter refletividade superior, em comparação à primeira camada de metal que é formada somente por C, podendo, porém, manter contato direto com a camada semicondutora.