GERAÇÃO DE RADICAL DE OXIGÊNIO POR DEPOSIÇÃO DE PELÍCULA FINA REFORÇADA COM RADICAL.

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Abstract

GERAÇÃO DE RADICAL DE OXIGÊNIO POR DEPOSIÇÃO DE PELÍCULA FINA REFORÇADA COM RADICAL. Um método de deposição da camada atômica reforçada com radical (REALD) envolve a exposição alternada de um substrato para um primeiro gás precursor (224) e para os radicais, tais como, radicais de oxigênio monoatômicos (O), gerados a partir de um segundo gás precursor contendo oxigênio (226), mantendo ao mesmo tempo separação espacial ou temporal dos radicais e do primeiro gás precursor. Modelos de reatores simplificados (210) e controle de processo são possíveis quando os primeiros e segundos gases precursores são não-reativos sob condições normais de processamento e podem, portanto, ser misturados após a recombinação dos radicais ou de outro modo diminuir. Em algumas modalidades, o segundo gás precursor (226) é um composto contendo oxigênio, tal como dióxido de carbono (CO2) ou óxido nitroso (N2O), por exemplo, ou uma mistura de tais compostos contendo oxigênio, e que não contêm quantidades significativas de oxigênio normal (O2).