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Official data from INPI

DISPOSITIVO LASER DE EMISSÃO SUPERFICIAL, ARRANJO DE LASER DE EMISSÃO SUPERFICIAL, ESCÂNER ÓPTICO E APARELHO DE FORMAÇÃO DE IMAGEM

ConcedidaInvention PatentPCT · JP2011061918

Application data

Number

112012001313

Type

Invention Patent

Filing

05/18/2011

Publication

03/13/2018

PCT

JP2011061918

Progress at the INPI

  1. Filing05/18/11
  2. Publication03/13/18
  3. Examination
  4. Allowance04/14/20
  5. Grant11/03/20
  6. In force05/18/31

The patent was granted on 11/03/2020 and is in force until 05/18/2031. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.

Protection valid until:05/18/2031

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Latest action published by the INPI: 11/03/2020. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

RICOH COMPANY, LTD.

JP

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Inventors

A. I. (pessoa física)

JP

K. H. (pessoa física)

JP

K. H. (pessoa física)

JP

M. H. (pessoa física)

JP

S. S. (pessoa física)

JP

Technical data

IPC Classification

Priority claims

JP

2010-118940 · 05/25/2010

JP

2011-050962 · 03/09/2011

Abstract

DISPOSITIVO LASER DE EMISSÃO SUPERFICIAL, ARRANJO DE LASER DE EMISSÃO SUPERFICIAL, ESCÃNER ÃPTICO, E APARELHO DE FORMAÃÃO DE IMAGEMUm dispositivo laser de emissão na superfície inclui uma camada dielétrica transparente provida em uma região de emissão e configurada para causar uma refletância em uma parte periférica a ser diferente de uma refletância em uma parte central na região de emissão. No dispositivo laser de emissão superficial, a espessura de uma camada de contato é diferente entre uma região que possui uma refletância relativamente alta e uma região que possui uma refletância relativamente baixa na região de emissão. A camada de contato é provida na camada de índice de refração alto de um espelho de reflexão de filme de múltiplas camadas superior, e a espessura óptica total da camada de índice de refração alto e da camada de contato na região que possui a refletância relativamente baixa é desviada de um múltiplo de número ímpar de um quarto do comprimento de onda de oscilação da luz de laser emitida a partir da região de emissão.

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Concessão da patente

#16.1

20 (vinte) anos contados a partir de 18/05/2011, observadas as condições legais

11/03/2020

RPI 2600

Deferimento

#9.1

04/14/2020

RPI 2571

Exigência preliminar

#6.21

08/06/2019

RPI 2535

Notificação de acesso ao patrimônio genético

#6.6.1

12/26/2018

RPI 2503

Desarquivamento

#4.3

04/17/2018

RPI 2467

Arquivamento - Art. 33 da LPI

#11.1

03/27/2018

RPI 2464

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

Tendo em vista o disposto na Nota nº 0345-2017-AGU/PGF/PFE/INPI/COOPI-DJT-2.2 da Procuradoria Federal Especializada junto ao INPI, bem como os princípios da proporcionalidade e eficiência, ficou dispensado o exame da autenticidade da procuração neste processo.

03/13/2018

RPI 2462

Alteração de dados cadastrais

#1.1

09/10/2013

RPI 2227

Patent monitoring

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