Indeferimento
#9.2
Indeferido com base no Art.8º combinado com o Art.13 da LPI 9.279/96.
01/11/2005
RPI 1817
Dados do pedido
Número
PI9901748Tipo
Depósito
Publicação
Pedido indeferido pelo INPI em 01/11/2005. A invenção não chegou a ser patenteada.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 01/11/2005. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
R. S. (pessoa física)
MG, BR
Inventores
R. S. (pessoa física)
BR
Classificação IPC
Resumo técnico
"PROCESSO E EQUIPAMENTO PARA OBTENÇÃO DE LIGAS DE SILÍCIO COM FERRO A PARTIR DE FINOS DE FERRO SILÍCIO, FERRO SILÍCIO EM ESCÓRIAS E FERRO SILÍCIO EM CROSTAS" , onde o processo compreende as etapas de: alimentar continuamente em um forno estático finos de ferro silício e/ou escórias primárias e/ou escórias de refino e/ou crostas, todos materiais gerados a partir da produção de ferro silício no processo tradicional; aquecer, fundir e manter aquecido entre 1400 a 1750°C em uma atmosfera pouco ou não oxidante os materiais alimentados no forno, utilizando-se de um eletrodo de grafite vazado que funciona como uma tocha de arco transferido; manter um arco elétrico entre o eletrodo de grafite vazado e o material sendo processado; liqüefazer o material alimentado, formando um banho líquido com duas fases, uma mais densa e com menor tensão interfacial contendo liga ferro silício e uma fase menos densa e com maior tensão interfacial com escória praticamente isenta de ferro silício; retirar continuamente ferro silício líquido do forno; retirar periodicamente do forno a escória isenta de ferro silício; retirar continuamente do forno os gases de processo; passar os gases de processo por um sistema de limpeza de gases antes de serem liberados para a atmosfera; resfriar ao meio ambiente o ferro silício retirado do forno, gerando lingotes de ferro silício; resfriar a escória isenta de ferro silício retirada do forno gerando subprodutos inertes; utilizar para liqüefazer alguma escória sólida que permaneceu no forno quando necessária a tocha de plasma de arco não transferido; após a escória tornar-se líquida pelo uso da tocha de arco não transferido, utilizar o eletrodo de grafite vazado para continuar a processar os finos de ferro silício e/ou escória primária e/ou escórias de refino e/ou crostas como descrito anteriormente. O equipamento utilizado para a realização do processo é compreendido por um forno estático contendo um eletrodo de grafite vazado que funciona como uma tocha de arco transferido; estabele-se um arco elétrico entre o eletrodo de grafite vazado e o material sendo processado para fornecer energia ao processo. Uma segunda tocha de plasma, de arco não transferido, é utilizada para liqüefazer as eventuais escórias formadas no processo e não retiradas normalmente. Outros equipamentos normalmente utilizados em outros processos podem ser adaptados para o processo de obtenção de silício a partir de finos de silício e/ou silício contido em escórias e/ou silício contido em crostas. Esses equipamentos incluem: sistema de alimentação dos materiais no forno a plasma, composto por exemplo por uma rosca sem fim; sistema de retirada dos produtos do forno a plasma, composto por exemplo por bicas de vazamento; sistema de limpeza de gases composto por exemplo por lavadores de gases e ciclones.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#9.2
Indeferido com base no Art.8º combinado com o Art.13 da LPI 9.279/96.
01/11/2005
RPI 1817
#15.11
Alterada da Int. Cl.7 C22C 35/00; C22C 38/02
15/02/2005
RPI 1780
#7.1
15/02/2005
RPI 1780
#3.1
17/10/2000
RPI 1554
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