Arquivamento definitivo por descumprimento
#8.11
Referente ao despacho 8.6 publicado na RPI 1909 de 07/08/2007.
29/11/2011
RPI 2134
Dados do pedido
Número
PI9810890Tipo
Depósito
Publicação
PCT
DE1998001970 Pedido arquivado por falta de pagamento das anuidades (art. 86 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 29/11/2011. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
Infineon Technologies AG
DE
Inventores
H. V. (pessoa física)
DE
H. S. (pessoa física)
DE
W. P. (pessoa física)
DE
Classificação IPC
Prioridades unionistas
DE
197 30 116.9 · 14/07/1997
Resumo técnico
Patente de Invenção: "MEMÓRIA DE SEMICONDUTORES COM CÉLULAS DE MEMÓRIA DE DOIS TRANSISTORES NÃO-VOLÁTEIS" . A invenção refere-se a uma memória de semicondutores sobretudo com uma célula de memória de dois transistores não-volátil, que apresenta um transistor seletivo-canal-N e um transistor de memória-canal-N, onde o circuito de comando está previsto com um transistor de transferência que também é objeto da invenção. Na memória de semicondurores de acordo com a invenção o transistor de transferência é realizado em forma de transistor de transferência-canal-P, onde uma conexão de canal-Transferência está ligada com uma linha de fileiras que conduz para uma célula de memória. Com isso as tensões necessárias para a programação podem ser obtidas com dispêndio tecnológico reduzido.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#8.11
Referente ao despacho 8.6 publicado na RPI 1909 de 07/08/2007.
29/11/2011
RPI 2134
#8.6
REFERENTE À 7ª, 8ª E 9ª ANUIDADES
07/08/2007
RPI 1909
#1.3
26/09/2000
RPI 1551
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