Dado oficial do INPI

GEMAS FORMADAS DE CARBONETO DE SILÍCIO COM REVESTIMENTO DE DIAMANTE

ArquivadaPatente de InvençãoPCT · US1997021331

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Dados do pedido

Número

PI9713512

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

14/11/1997

Publicação

29/02/2000

PCT

US1997021331

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Andamento no INPI

Depósito14/11/97
Publicação29/02/00
Arquivado
Deferimento
Concessão
Em vigor

Pedido arquivado: a exigência técnica do INPI não foi cumprida no prazo (art. 36 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 04/01/2005. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

C3, Inc.

Inventores

C. H. (pessoa física)

K. N. (pessoa física)

T. C. (pessoa física)

Dados técnicos

Classificação IPC

A44C 17/00 C30B 23/00 C30B 25/02

Prioridades unionistas

751098 · 15/11/1996

Resumo técnico

Patente de Invenção: "GEMAS FORMADAS DE CARBONETO DE SILÍCIO COM REVESTIMENTO DE DIAMANTE" . Gemas sintéticas são produzidas crescendo-se mono cristais de carboneto de silício, formando o carboneto de silício em núcleos de gema, e depois depositando um fino revestimento de diamante sobre o núcleo.