Carta-patente expirada
#21.1
Patente extinta em 27/08/2016
01/11/2016
RPI 2391
Dados do pedido
Número
PI9610393Tipo
Depósito
Publicação
PCT
US1996013760 Carta-patente expirada em 01/11/2016: o prazo de proteção chegou ao fim. A tecnologia está em domínio público e pode ser explorada livremente no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 01/11/2016. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
C3, Inc.
US
Charles & Colvard, Ltd.
US
Inventores
C. H. (pessoa física)
US
D. V. (pessoa física)
US
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
521635 · 31/08/1995
Resumo técnico
Patente de Invenção: "GEMAS DE CARBETO DE SILÍCIO" . Gemas sintéticas tendo brilhança e dureza extraordinária são formadas a partir de cristais únicos grande de carbeto de silício transluzente de impurezas relativamente baixas de um politipo único que são crescidos em um sistema de sublimação de forno. Os cristais são cortados para formar gemas brutas que são, depois disso, lapidadas para formar gemas acabadas, Uma ampla faixa de cores e de tons está disponível por dopagem seletiva do cristal durante o crescimento. Uma gema incolor é produzida crescendo o cristal não dopado em um sistema substancialmente livre de átomos de impureza indesejados.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#21.1
Patente extinta em 27/08/2016
01/11/2016
RPI 2391
#25.7
Sede alterada conforme solicitado na Petição nº 020080090435/RJ de 27/06/2008.
13/10/2010
RPI 2075
#25.9
Afim de atender o solicitado na Petição de Alteração de Nome e Sede nº 020080090435/RJ de 27/06/2008, queira apresentar a guia de recolhimento relativa à alteração de Sede.
16/06/2009
RPI 2006
#25.4
Alterado de: C3, Inc.
23/12/2008
RPI 1981
#16.1
21/06/2005
RPI 1798
#9.1
15/03/2005
RPI 1784
#6.1
16/11/2004
RPI 1767
#6.1
01/06/2004
RPI 1743
#1.3
18/04/2000
RPI 1528
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