APARELHO DO TIPO A SEMICONDUTOR PARA MEDIDA DA PRESSÃO DIFERENCIAL, E PROCESSO PARA SUA FABRICAÇÃO

Classificação IPC

Resumo técnico

Patente de Invenção de "APARELHO DO TIPO SEMICONDUTOR PARA MEDIDA DA PRESSÃO DIFERENCIAL, E PROCESSO PARA SUA FABRICAÇÃO". Um aparelho de medida de pressão diferencial do tipo a semicondutor que inclui um diafragma de medição cuja periferia é fixa e duas câmaras de medição cada uma tendo um espaçamento predeterminado ao longo de ambas as superfícies do diafragma de medição. O aparelho detecta a pressão diferencial dentro do limite de medição permissível, mas quando for aplicada uma pressão excessiva (superpressão), o diafragma de medição é diretamente apoiado pela parede da câmara de medição para evitar que o diafragma seja danificado pela superpressão. Consequentemente, o aparelho não requer nenhum mecanismo adicional de proteção contra a superpressão. O aparelho inclui uma câmara adicional acompanhada de um ressalto ou saliência provido de tal maneira que sua área efetiva possa ser maior do que a da abertura da câmara. Por conseguinte, a força que é exercida na porção da junta entre o substrato de silício e o substrato de suporte pela aplicação de uma superpressão pode ser grandemente reduzida. Duas câmaras de medição tendo cada uma um espaçamento predeterminado são fornecidas ao longo de ambos os lados do diafragma de medição. Por conseguinte, o exterior do aparelho de medida da pressão diferencial do tipo a semicondutor de acordo com a presente invenção pode ser exposto ao ar livre, e desse modo não é necessário nenhum invólucro particular resistente à pressão. Mas detalhadamente, a porção do sensor não necessita estar coberta por um recipiente resistente à pressão como no aparelho do tipo convencional em que a pressão de medida é aplicada externamente ao sensor. O aparelho de medida de pressão diferencial do tipo a semicondutor de acordo com a presente invenção engloba uma conexão de condutor formada pela introdução de impurezas na superfície da junta entre o substrato de silício e o substrato de suporte, e uma extremidade dele é ainda conectada a um elemento detector de esforços. Consequentemente, não é necessária nenhuma vedação hermética resistente à pressão ao extrair um sinal elétrico.