Dados do pedido
Número
PI1015955Tipo
Depósito
Publicação
PCT
US2010030199 Pedido arquivado por falta de pagamento das anuidades (art. 86 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 20/09/2016. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
AGC Flat Glass North America, Inc.
US
Asahi Glass Co., Ltd.
JP
Inventores
C. C. (pessoa física)
US
K. M. (pessoa física)
JP
M. C. (pessoa física)
GB
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
61/167,349 · 07/04/2009
Resumo técnico
DEPOSIÃÃO DE CAMADA FINA DE SILÃCIO APRIMORADA PARA APLICAÃÃES EM DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO. A presente invenção refere-se a métodos de boa relação custo-benefÃcio para deposição em linha de camadas metálicas semicondutoras. Mais especificamente, a presente invenção fornece métodos de deposição pirolÃtica em linha, para deposição de camadas metálicas semicondutoras tipo p, tipo n e tipo i no processo de produção de vidro flotado. Ademais, a presente invenção fornece métodos de deposição pirolÃtica em linha para a produção de camadas metálicas semicondutoras tipos p-(i-)n e n-(i-)p de junção única, junção dupla, junção tripla, e de múltiplas junções. Tais camadas metálicas semicondutoras tipo p, tipo n, e tipo i são úteis na indústria fotovoltaica e atraentes para fabricantes de módulos fotovoltaicos como produtos de "valor agregadoÂ.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#8.11
Em virtude do arquivamento publicado na RPI 2369 de 31-05-2016 e considerando ausência de manifestação dentro dos prazos legais, informo que cabe ser mantido o arquivamento do pedido de patente, conforme o disposto no artigo 12, da resolução 113/2013.
20/09/2016
RPI 2385
#8.6
referente a 5ª e 6ª anuidades
31/05/2016
RPI 2369
#1.3
26/04/2016
RPI 2364
#1.1
05/12/2012
RPI 2187
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