Concessão da patente
#16.1
10 (dez) anos contados a partir de 10/11/2020, observadas as condições legais
10/11/2020
RPI 2601
Dados do pedido
Número
PI0917905Tipo
Depósito
Publicação
PCT
US2009048656 Patente concedida em 10/11/2020 e em vigor até 25/06/2029. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:25/06/2029
Última movimentação publicada pelo INPI: 10/11/2020. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC
US
NXP USA, INC.
US
Inventores
L. C. (pessoa física)
US
S. R. (pessoa física)
US
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
12/199,093 · 27/08/2008
Resumo técnico
DISPOSITIVO DE MEMÃRIA E MÃTODO DO MESMOO presente pedido revela uma matriz de memória onde cada célula de bit de memória (MC) da matriz inclui um nivelador (112). Adicionalmente, cada célula de bit de memória inclui uma porta de gravação (120) que inclui portas de passagem que podem incluir um transistor de efeito de campo tipo-p (125, 126) e um transistor de efeito de campo tipo-n (121, 123). Os eletrodos de controle do transistor de efeito de campo tipo-p e do transistor de efeito de campo tipo-n são conectados juntos como parte de um nó comum (WLB). Adicionalmente, um eletrodo de corrente do transistor de efeito de campo tipo-p e um eletrodo de corrente do transistor de efeito de campo tipo-n são conectados juntos para formar um nó comum (135, 136).
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#16.1
10 (dez) anos contados a partir de 10/11/2020, observadas as condições legais
10/11/2020
RPI 2601
#9.1
04/08/2020
RPI 2587
#6.1
04/02/2020
RPI 2561
#6.1
08/10/2019
RPI 2544
#15.11
As Classificações Anteriores eram: G11C 7/10 , G11C 5/14
25/06/2019
RPI 2529
25/06/2019
RPI 2529
#6.6.1
22/01/2019
RPI 2507
#25.1
10/10/2017
RPI 2440
#1.3
10/11/2015
RPI 2340
#1.1
16/11/2011
RPI 2132
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