PROCESSO DE PRODUÇÃO DE SILÍCIO CRISTALINO DE QUALIDADE FOTOVOLTAICA POR ACRÉSCIMO DE IMPUREZAS DOPANTES E CÉLULA FOTOVOLTAICA

Classificação IPC

Prioridades unionistas

Resumo técnico

PROCESSO DE PRODUÃÃO DE SILÃCIO CRISTALINO DE QUALIDADE FOTOVOLTAICA POR ACRÃSCIMO DE IMPUREZAS DOPANTES E CÃLULA FOTOVOLTAICA.A presente invenção refere-se à produção de silício cristalino de qualidade fotovoltaica é realizada por cristalização de uma carga de silício fundido, cuja soma das concentrações iniciais em elementos dopantes doadores e em elementos dopantes aceitadores é superior a 0,1 ppma e dos quais cada uma das concentrações em elementos dopantes aceitadores e doadores é inferior a 25 ppma. Pelo menos uma quantidade pré-definida de um material dopante que tem um coeficiente de segregação inferior a 0,1 é acrescentada à carga. Esse acréscimo permite a realização de um silício cristalizado, cuja diferença entre os perfis de dopagem de tipo doadores e aceitador está compreendida entre 0,1 e 5 ppma sobre pelo menos 50 % do silício solidificado. Um silício que apresenta uma concentração em pelo menos um dos dopantes é superior ou igual a 5 ppma e uma diferença entre esses dois tipos de dopante inferior ou igual a 5ppma é integrado em uma célula fotovoltaica.