Indeferimento mantido em recurso
#9.2.4
MANTIDO O INDEFERIMENTO UMA VEZ QUE NÃO FOI APRESENTADO RECURSO DENTRO DO PRAZO LEGAL
09/07/2019
RPI 2531
Dados do pedido
Número
PI0722605Tipo
Depósito
Publicação
Pedido indeferido em 09/07/2019 e o recurso não mudou a decisão. A invenção não chegou a patente e a tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 09/07/2019. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
Universidade Federal de Itajubá - Unifei / BR
MG, BR
Inventores
J. V. (pessoa física)
BR
L. F. (pessoa física)
BR
P. C. (pessoa física)
BR
R. M. (pessoa física)
BR
T. P. (pessoa física)
BR
Classificação IPC
Resumo técnico
A presente invenção refere-se a uma fonte de referência de tensão baseada apenas em transistores de efeito de campo do tipo MOS operando na condição de saturação em inversão fraca, sem a necessidade de transistores bipolares. A fonte pe estável com relação as variações de tensão de alimentação e de temperatura. O funcionamento do circuito é análogo ao das fontes de referências bandgap, mas com a referência dada na tensão threshold do transistor nMOS de saída, e pode iperar com tensões de alimentação menores de que 1V, valor esse menos que o míninmo dado pelas fontes de referência bandgap. Assim, essa fonte se torna adequasa às implementações de baixa tensão e baixa potência em circuitos integrados. Uma melhoria pode ser obtida com a implementação de um circuito auxiliar que compense a parxela logarítmica dependente da temperatura.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#9.2.4
MANTIDO O INDEFERIMENTO UMA VEZ QUE NÃO FOI APRESENTADO RECURSO DENTRO DO PRAZO LEGAL
09/07/2019
RPI 2531
#9.2
24/04/2019
RPI 2520
#7.1
26/12/2018
RPI 2503
#3.1
10/02/2016
RPI 2353
#2.1
29/12/2015
RPI 2347
#2.5
02/09/2014
RPI 2278
#2.10
Número de Protocolo 28938803702 em 11/05/2007 01:00(RJ).
21/08/2012
RPI 2172
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