Arquivamento definitivo por descumprimento
#8.11
Referente ao despacho 8.6 publicado na RPI 2160 de 29/05/2012.
16/10/2012
RPI 2180
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Dado oficial do INPI
ALVOS PARA FAISCAMENTO DE MOLIBDÊNIO
Arquivada/ExtintaPatente de InvençãoPCT · US2005030852
Dados do pedido
Número
PI0515132Tipo
Patente de Invenção
Depósito
29/08/2005
Publicação
08/07/2008
PCT
US2005030852 Andamento no INPI
- Depósito29/08/05
- Publicação08/07/08
- Arquivado
- Deferimento
- Concessão
- Em vigor
Pedido arquivado por falta de pagamento das anuidades (art. 86 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 16/10/2012. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
H.C. Starck, Inc.
US
Inventores
B. L. (pessoa física)
US
D. S. (pessoa física)
US
D. M. (pessoa física)
US
G. R. (pessoa física)
US
J. I. (pessoa física)
US
J. O. (pessoa física)
US
J. H. (pessoa física)
US
P. J. (pessoa física)
US
P. K. (pessoa física)
US
R. W. (pessoa física)
US
S. M. (pessoa física)
US
T. W. (pessoa física)
US
Dados técnicos
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
10/931,203 · 31/08/2004
Resumo técnico
ALVOS PARA FAISCAMENTO DE MOLIBDÊNIO. A presente invenção refere-se a alvos para faiscamento de molibdênio e sinterização caracterizados por não terem nenhuma ou uma mínima rugosidade de textura ou gradiente através da espessura. Os alvos de faiscamento de molibdênio tendo um tamanho de grão uniforme fino são de alta pureza e podem ser microligados para desempenho aperfeiçoado. Os alvos para faiscamento podem ser discos redondos, quadrados, retangulares ou tubulares e podem ser faiscados para formar filmes delgados sobre substratos. Ao se usar o método formador de segmento, o tamanho do alvo para faiscamento pode ser de até 6 m x 5,5 m. Os filmes delgados podem ser usados em componentes eletrônicos tais como Transistor de Filme Delgado - Mostradores de Cristal Líquido, Painéis para Mostrador de Plasma, Diodos Emissores de Luz Orgânicos, Mostradores para Diodos Emissores de Luz Inorgânicos, Mostradores para Emissão de Campa, células solares, sensores, dispositivos semicondutores e dispositivo para portão para CMOS (semicondutor de óxido de metal complementar) com funções de trabalho sintonizáveis.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Arquivamento por falta de pagamento
#8.6
Referente às 5ª e 6ª anuidades.
29/05/2012
RPI 2160
Notificação de entrada na fase nacional - PCT
#1.3
08/07/2008
RPI 1957
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